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一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  李志明;  景玉梅;  叶如华;  李菊生
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半磁性半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(0.001≤x≤0.010)光学吸收双稳态开关特性的研究 期刊论文
人工晶体学报, 2000, 期号: 04, 页码: 364-366
作者:  景玉梅
caj(24Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：385/84  |  提交时间：2013/03/11
半磁性半导体  光学吸收双稳态  
掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 期刊论文
液晶与显示, 2000, 期号: 03, 页码: 196-201
作者:  景玉梅;  叶如华;  李志明;  李菊生
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Cdse  薄膜晶体管  掺杂  
CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 期刊论文
液晶与显示, 2000, 期号: 01, 页码: 35-39
作者:  景玉梅;  李志明;  李菊生;  叶如华
caj(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：497/61  |  提交时间：2013/03/11
Cdse  薄膜晶体管  迁移率