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二氧化硅光学镀膜材料的制备方法及二氧化硅材料 （发明） 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 1091079, 申请日期: 2002-09-18, 公开日期: 2002-09-18
发明人:  崔承甲;  刘占国
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氟化物的热习性和晶体生长 期刊论文
人工晶体学报, 1997, 期号: Z1, 页码: 143
作者:  崔承甲;  刘占国;  朱海东
caj(4Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：591/78  |  提交时间：2013/03/11
氟化物  热习性  晶体生长