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二氧化硅光学镀膜材料的制备方法及二氧化硅材料 (发明)
崔承甲; 刘占国
2002-09-18
专利权人中国科学院长春光学精密机械研究所
公开日期2002-09-18
专利类型发明专利
摘要α-SiO↓[2]光学镀膜材料的制备方法,是一种制备光学镀膜材料的新的工艺方法,它省去了通常制备玻璃态SiO↓[2]光学镀膜材料需在1700℃以上高温熔融的复杂的工艺流程,代之而来的制备结晶态α-SiO↓[2]光学镀膜材料,只需在较低温度不超过600℃的条件下……
申请日期1996-12-23
专利号1091079
语种中文
申请号96117374.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12621
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
崔承甲,刘占国. 二氧化硅光学镀膜材料的制备方法及二氧化硅材料 (发明). 1091079[P]. 2002-09-18.
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