Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
二氧化硅光学镀膜材料的制备方法及二氧化硅材料 (发明) | |
崔承甲; 刘占国 | |
2002-09-18 | |
专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 |
公开日期 | 2002-09-18 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | α-SiO↓[2]光学镀膜材料的制备方法,是一种制备光学镀膜材料的新的工艺方法,它省去了通常制备玻璃态SiO↓[2]光学镀膜材料需在1700℃以上高温熔融的复杂的工艺流程,代之而来的制备结晶态α-SiO↓[2]光学镀膜材料,只需在较低温度不超过600℃的条件下…… |
申请日期 | 1996-12-23 |
专利号 | 1091079 |
语种 | 中文 |
申请号 | 96117374.2 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12621 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔承甲,刘占国. 二氧化硅光学镀膜材料的制备方法及二氧化硅材料 (发明). 1091079[P]. 2002-09-18. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN199800118605200000(178KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
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