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氧化锌基激光器件的设计、制备与特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  倪佩楠
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采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-01-11, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  单崇新;  鞠振刚;  倪佩楠;  李炳辉;  王双鹏;  申德振
Adobe PDF(837Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：533/57  |  提交时间：2012/08/29