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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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王健 [1]
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杨航 [1]
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Development of narrow band emitting phosphors for backlighting displays and solid state lighting using a clean and green energy technology
期刊论文
Journal of Luminescence, 2022, 卷号: 243, 页码: 19
作者:
S. A. Khan
;
N. Z. Khan
;
Y. N. Xie
;
M. Rauf
;
I. M. Mehmood
;
J. Ahmed
;
S. M. Alshehri
;
M. A. M. Khan
;
J. F. Zhu and S. Agathopoulos
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提交时间:2023/06/14
Effect of strain relaxation on performance of InGaN/GaN green LEDs on 4-inch
期刊论文
Scientific Reports, 2019, 卷号: 9, 期号: 9
作者:
H.P.Hu
;
S.J.Zhou
;
H.Wan
;
X.T.Liu
;
N.Li
;
H.H.Xu
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提交时间:2020/08/24
light-emitting-diodes,gan,efficiency,stress,aln,Science & Technology - Other Topics
Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si
期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:
Feng, M. X.
;
Li, Z. C.
;
Wang, J.
;
Zhou, R.
;
Sun, Q.
;
Sun, X. J.
;
Li, D. B.
;
Gao, H. W.
;
Zhou, Y.
;
Zhang, S. M.
;
Li, D. Y.
;
Zhang, L. Q.
;
Liu, J. P.
;
Wang, H. B.
;
Ikeda, M.
;
Zheng, X. H.
;
Yang, H.
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提交时间:2019/09/17
AlGaN
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