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生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 05, 页码: 465-468
作者:  缪国庆;  金亿鑫;  蒋红;  周天明;  李树玮;  元光;  宋航
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铟镓砷  生长温度  低压金属有机化学气相沉积  
Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响 期刊论文
半导体光电, 2002, 期号: 04, 页码: 271-273
作者:  缪国庆;  金亿鑫;  蒋红;  周天明;  李树玮;  元光;  宋航
caj(32Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:432/78  |  提交时间:2013/03/11
铟镓砷  Ⅴ/ⅲ比  低压金属有机化学气相沉积