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InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响 期刊论文
半导体光电, 2002, 期号: 02, 页码: 90-91+95
作者:  李忠辉;  李梅;  王玲;  高欣;  王玉霞;  张兴德
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分别限制结构  阈值电流密度  外微分量子效率  
高功率无铝半导体激光器 期刊论文
半导体光电, 2000, 期号: 02, 页码: 80-84
作者:  杨进华;  张兴德;  任大翠
caj(59Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：408/62  |  提交时间：2013/03/11
半导体激光器  高功率  量子阱  分别限制异质结构  
具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器 期刊论文
半导体光电, 1999, 期号: 06, 页码: 388-389+392
作者:  高欣;  曲轶;  薄报学;  张宝顺;  张兴德
caj(33Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：511/88  |  提交时间：2013/03/11
半导体激光器  液相外延  分别限制单量子阱  特征温度