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高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器 期刊论文
光学学报, 1997, 期号: 12, 页码: 15-18
作者:  朱宝仁;  张兴德;  薄报学;  张宝顺;  杨忠和
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半导体激光器  高功率  分别限制结构  
液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器 期刊论文
光学学报, 1995, 期号: 10, 页码: 1288-1291
作者:  任大翠;  李含轩;  薄报学
caj(143Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：399/62  |  提交时间：2013/03/11
液相外延生长  分别限制双异质结构lds  超薄有源层  
SCH量子阱激光器的光学限制特性 期刊论文
光学学报, 1995, 期号: 03, 页码: 268-271
作者:  薄报学;  任大翠;  张兴德
caj(153Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：492/67  |  提交时间：2013/03/11
分别限制异质结构（sch量子）阱激光器  光波导  限制因子