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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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2019 [4]
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收录类别:EI
收录类别:SCI
发表日期:2019
语种:英语
文献类型:期刊论文
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Electronic Devices and Circuits Based on Wafer-Scale Polycrystalline Monolayer MoS2 by Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 10
作者:
L.Wang
;
L.Chen
;
S.L.Wong
;
X.Huang
;
W.G.Liao
;
C.X.Zhu
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提交时间:2020/08/24
chemical vapor deposition (CVD),integrated circuits,memory,MoS2,transistors,transition-metal dichalcogenides,graphene transistors,integrated-circuits,phase growth,mobility,layers,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Physics
Unravelling the mechanism of interface passivation engineering for achieving high-efficient ZnO-based planar perovskite solar cells
期刊论文
Journal of Power Sources, 2019, 卷号: 438, 页码: 10
作者:
Z.Y.Pang
;
Y.S.Sun
;
Y.B.Gao
;
X.Y.Zhang
;
Y.F.Sun
;
J.H.Yang
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提交时间:2020/08/24
Perovskite solar cells,ZnO electron transport layers,UV-O-3 treatment,Photoelectric conversion efficiency,Interface passivation,electron-transport layers,zinc-oxide,low-temperature,thin-film,nanoparticles,performance,emission,progress,Chemistry,Electrochemistry,Energy & Fuels,Materials Science
Nearly lattice-matched molybdenum disulfide/gallium nitride heterostructure enabling high-performance phototransistors
期刊论文
Photonics Research, 2019, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 311-317
作者:
X.K.Liu
;
Y.X.Chen
;
D.B.Li
;
S.W.Wang
;
C.C.Ting
;
L.Chen
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提交时间:2020/08/24
mos2 atomic layers,large-area,thin-layers,graphene,growth,optoelectronics,hysteresis,Optics
Theoretical investigation of strain-engineered WSe2 monolayers as anode material for Li-ion batteries
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 370-375
作者:
J.Rehman
;
R.Ali
;
N.Ahmad
;
X.D.Lv
;
C.L.Guo
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提交时间:2020/08/24
2D materials,LIBs,Adsorption,Diffusion,Tensile strain,transition-metal dichalcogenides,electrode materials,crystalline wse2,mono layers,lithium,energy,adsorption,chemistry,graphene,storage,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering