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852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 06, 页码: 640-646
作者:  徐华伟;  宁永强;  曾玉刚;  张星;  秦莉;  刘云;  王立军
caj(630Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：584/165  |  提交时间：2013/03/11
激光器  Algainas  量子阱  数值模拟