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STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS 期刊论文
Journal of Materials Science Letters, 1995, 卷号: 14, 期号: 14, 页码: 1004-1006
作者:  Zhao J. L.;  Gao Y.;  Liu X. Y.;  Dou K.;  Huang S. H.;  Yu J. Q.;  Liang J. C.;  Gao H. K.
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