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Performance improvement of amorphous Ga 2 O 3 ultraviolet photodetector by annealing under oxygen atmosphere 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 840, 页码: 7
作者:  C. Q. Zhou,K. W. Liu,X. Chen,J. H. Feng,J. L. Yang,Z. Z. Zhang,L. Liu,Y. Xia and D. Z. Shen
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Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering  
Luminescent properties and thermal stability of BaMgAl10O17 : Eu2+ synthesized by sol-gel route 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2008, 卷号: 454, 期号: 1—2, 页码: 245-249
作者:  Zhu P. F.;  Di W. H.;  Zhu Q. R.;  Chen B. J.;  Zhu H. Y.;  Zhao H. F.;  Yang Y. J.;  Wang X. J.
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Novel Eu3+ -doped red-emitting phosphor Gd2Mo3O9 for white-light-emitting-diodes (WLEDs) application 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2007, 卷号: 433, 期号: 1—2, 页码: 352-355
作者:  Zhao X. X.;  Wang X. J.;  Chen B. J.;  Meng Q. Y.;  Di W. H.;  Ren G. Z.;  Yang Y. M.
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Photoluminescence characteristics of (Y,Gd)P0.5V0.5O4 : Tm3+ phosphor particles prepared by coprecipitation reaction 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2005, 卷号: 395, 期号: 1—2, 页码: 181-184
作者:  Lai H. S.;  Chen B. J.;  Xu W.;  Wang X. J.;  Yang Y. M.;  Meng Q. Y.
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