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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4InP grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G.;  Jiang H.;  Cao L.;  Sun X.;  Li D.;  Chen Y.;  Li Z.
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Probing into the effect of Auger recombination mechanism on zero bias resistancearea product in In1-xGaxAs detector 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 24, 页码: 1953-1957
作者:  Chang Y.;  Shi B.;  Li L.;  Yin J.;  Gao F.;  Du G.;  Jin Y.
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Probing into the effect of Auger recombination mechanism on zero bias resistance-area product in In1-xGaxAs detector 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 24, 页码: 1953-1957
作者:  Chang Y. C.;  Shi B.;  Li L. H.;  Yin J. Z.;  Gao F. B.;  Du G. T.;  Jin Y. X.
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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：666/136  |  提交时间：2012/10/21