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Temperature-dependent relation between junction temperature and 1/f noise in high power semiconductor laser 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 10
作者:  Chen H. P.;  Cao J. S.;  Guo S. X.
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Experimental characterization of polarization gain properties of 808 nm semiconductor laser and analysis of energy band based on amplified spontaneous emissions from double facets 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 17
作者:  Ma M. L.;  Wu J.;  Yang M.;  Ning Y. Q.;  Shang G. Y.
Adobe PDF(2589Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：500/120  |  提交时间：2014/05/14