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坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究 期刊论文
人工晶体学报, 2006, 期号: 6
作者:  段安锋;  范翊;  罗劲松;  关树海;  沈永宏;  刘景和
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Caf2晶体  下降法  位错蚀坑  光谱  
坩埚下降法生长CaF_2晶体中热传导率对界面形状的影响 期刊论文
人工晶体学报, 1991, 期号: Z1, 页码: 254
作者:  吕志新;  崔凤柱
caj(40Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:422/70  |  提交时间:2013/03/11
坩埚下降法生长:7363  界面形状:4167  热传导率:3518  Caf_2:3392  光学均匀性:1196  晶体材料:919  透过率:859  中国科学院:753  暗视场:697  干涉图:675  
大型CaF_2单晶生长和评价 期刊论文
人工晶体学报, 1991, 期号: 01, 页码: 46-54
作者:  崔承甲;  小川智哉
caj(2978Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:409/58  |  提交时间:2013/03/11
Caf_2晶体  退火  光散射体  包裹体  负晶体  Cao  Cas  位错分布  亚晶格  熔化  Rap法  布里奇曼法