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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps
期刊论文
Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873
作者:
K.Jiang
;
X.J.Sun
;
J.W.Ben
;
Z.M.Shi
;
Y.P.Jia
;
Y.Wu
;
C.H.Kai
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提交时间:2020/08/24
potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion
The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:
Jiang, K.
;
Sun, X. J.
;
Ben, J. W.
;
Jia, Y. P.
;
Liu, H. N.
;
Wang, Y.
;
Wu, Y.
;
Kai, C. H.
;
Li, D. B.
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提交时间:2019/09/17
light-emitting-diodes
screw dislocations
threading dislocations
phase
epitaxy
gan
films
algan
core
edge
generation
Chemistry
Crystallography
Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN
期刊论文
Crystengcomm, 2014, 卷号: 16, 期号: 34, 页码: 8058-8063
作者:
Liu X. T.
;
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Li Z. M.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Chen Y. R.
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提交时间:2015/04/24