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Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps 期刊论文
Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873
作者:  K.Jiang;  X.J.Sun;  J.W.Ben;  Z.M.Shi;  Y.P.Jia;  Y.Wu;  C.H.Kai
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potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion  
The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Wu, Y.;  Kai, C. H.;  Li, D. B.
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light-emitting-diodes  screw dislocations  threading dislocations  phase  epitaxy  gan  films  algan  core  edge  generation  Chemistry  Crystallography  
Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN 期刊论文
Crystengcomm, 2014, 卷号: 16, 期号: 34, 页码: 8058-8063
作者:  Liu X. T.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Li Z. M.;  Song H.;  Jiang H.;  Chen Y. R.
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