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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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期刊论文 [1]
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2021 [1]
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收录类别:SCI
出处:Acs Applied Nano Materials
发表日期:2021
文献类型:期刊论文
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WOS被引频次降序
Large-Area Monolayer MoS2 Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices
期刊论文
Acs Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:
P. Yang
;
H. F. Yang
;
Z. Y. Wu
;
F. Y. Liao
;
X. J. Guo
;
J. N. Deng
;
Q. Xu
;
H. M. Wang
;
J. J. Sun
;
F. Chen
;
W. Z. Bao
;
L. G. Hu
;
Z. K. Liu
;
Y. L. Chen
;
Z. J. Qiu
;
Z. L. Fang
;
R. Liu and C. X. Cong
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提交时间:2023/06/14