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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:EI
出处:Physical Review B
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Growth mechanism and electronic properties of stacking mismatch boundaries in wurtzite III-nitride material
期刊论文
Physical Review B, 2023, 卷号: 107, 期号: 16
作者:
H. Zang, Z. Shi, J. Ben, K. Jiang, Y. Chen, S. Zhang, M. Liu, T. Wu, Y. Jia, X. Sun and D. Li
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提交时间:2024/08/12
Theory of optical activity in doped systems with application to twisted bilayer graphene
期刊论文
Physical Review B, 2022, 卷号: 106, 期号: 24
作者:
K. Chang
;
Z. Zheng
;
J. E. Sipe and J. L. Cheng
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提交时间:2023/06/14
Doping in the two-dimensional limit: p/n-type defects in monolayer ZnO
期刊论文
Physical Review B, 2022, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: 7
作者:
D. Han
;
X. B. Li
;
D. Wang
;
N. K. Chen and X. W. Fan
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提交时间:2023/06/14
Electric field induced injection and shift currents in zigzag graphene nanoribbons
期刊论文
Physical Review B, 2021, 卷号: 104, 期号: 11
作者:
Y. Wei
;
W. Li
;
Y. Jiang and J. Cheng
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提交时间:2022/06/13
Exciton dynamics in two-dimensional MoS2 on a hyperbolic metamaterial-based nanophotonic platform
期刊论文
Physical Review B, 2020, 卷号: 101, 期号: 4, 页码: 6
作者:
K. J. Lee,W. Xin,C. Fann,X. L. Ma,F. Xing,J. Liu,J. H. Zhang,M. Elkabbash and C. L. Guo
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提交时间:2021/07/06
Third harmonic generation of undoped graphene in Hartree-Fock approximation
期刊论文
Physical Review B, 2019, 卷号: 100, 期号: 24, 页码: 8
作者:
J.L.Cheng
;
J.E.Sipe
;
C.L.Guo
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提交时间:2020/08/24
Materials Science,Physics
Charged defects in two-dimensional semiconductors of arbitrary thickness and geometry: Formulation and application to few-layer black phosphorus
期刊论文
Physical Review B, 2017, 卷号: 96, 期号: 15
作者:
Wang, D.
;
D. Han
;
X. B. Li
;
N. K. Chen
;
D. West
;
V. Meunier
;
S. B. Zhang and H. B. Sun
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提交时间:2018/06/13