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Destroying the symmetric structure to promote phase transition: Improving the SERS performance and catalytic activity of MoS2 nanoflowers 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2021, 卷号: 886
作者:  R. Su;  Y. Quan;  S. Yang;  M. Hu;  J. Yang and M. Gao
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Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440
作者:  S.W.H.Chen;  H.Y.Wang;  C.Hu;  Y.Chen;  H.Wang;  J.L.Wang;  W.He
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Free standing gallium nitride (GaN),GaN-On-GaN,Power PIN diode,p-n diodes,Chemistry