Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面 | |
任英明; 张志宇
| |
| 2022-04-10 | |
| 发表期刊 | 光学学报
 |
| 卷号 | 42期号:07页码:220-227 |
| 摘要 | 单晶硅是一种重要的半导体材料。通常，铸锭切片后的单晶硅表面易产生较深的沟槽、凹坑和裂纹等缺陷。针对这一问题，提出了一种双步激光辐射的方法，其在修复表面缺陷的同时，可以降低表面粗糙度。首先，通过有限元法模拟对不同激光参数下可修复的缺陷深度进行预测。然后，在0.50 J/cm~2的较高能量密度下，利用较深的表面层熔化修复各种深度的表面缺陷。然而，由于高能量密度下引发的热毛细管流易造成高频特征残留在表面上，故会导致表面粗糙度增加。接着，使用一个0.20 J/cm~2的低能量密度再次辐射同一表面，可有效消除残留的高频特征。最终，原始表面粗糙度为1.057μm的表面经过双步激光辐射后可获得一个表面粗糙度为26 nm的无缺陷光滑表面。 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/66306 |
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 作者单位 | 1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 2.中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任英明,张志宇. 双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面[J]. 光学学报,2022,42(07):220-227. |
| APA | 任英明,&张志宇.(2022).双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面.光学学报,42(07),220-227. |
| MLA | 任英明,et al."双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面".光学学报 42.07(2022):220-227. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面（1843KB） | 期刊论文 | 出版稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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