CIOMP OpenIR  > 中科院长春光机所知识产出
应用于22nm及以下节点的极紫外光刻胶研究进展
鹿国庆; 吴义恒; 李伶俐; 卢启鹏
2016-04-18
发表期刊科学技术与工程
期号11页码:120-127
摘要极紫外光刻(EUVL)是最有希望用于22 nm及以下节点的下一代光刻技术,光刻胶的性能与工艺是其关键技术之一。EUV光刻胶应同时满足高分辨率、低线边缘粗糙度和高灵敏度的要求。回顾了应用于22 nm及以下技术节点的EUV光刻胶的发展现状和面临的挑战,介绍了EUVL对光刻胶的基本要求以及分辨率、线边缘粗糙度(LER)和灵敏度之间的平衡关系,阐述了LER的形成机理尤其是LER的降低,从产酸剂、吸收增强、分子尺寸的缩小、酸扩增、酸的各向异性扩散等材料设计方面总结了可能的光刻胶性能改进方案,探讨了EUV光刻胶未来的主要研究方向。
关键词极紫外光刻 光刻胶 平衡关系 材料设计
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/58058
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
鹿国庆,吴义恒,李伶俐,等. 应用于22nm及以下节点的极紫外光刻胶研究进展[J]. 科学技术与工程,2016(11):120-127.
APA 鹿国庆,吴义恒,李伶俐,&卢启鹏.(2016).应用于22nm及以下节点的极紫外光刻胶研究进展.科学技术与工程(11),120-127.
MLA 鹿国庆,et al."应用于22nm及以下节点的极紫外光刻胶研究进展".科学技术与工程 .11(2016):120-127.
条目包含的文件 下载所有文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
应用于22nm及以下节点的极紫外光刻胶研(280KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 下载
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[鹿国庆]的文章
[吴义恒]的文章
[李伶俐]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[鹿国庆]的文章
[吴义恒]的文章
[李伶俐]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[鹿国庆]的文章
[吴义恒]的文章
[李伶俐]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 应用于22nm及以下节点的极紫外光刻胶研究进展.caj
格式: caj
此文件暂不支持浏览
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。