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石墨烯应用于GaN基材料的研究进展
徐昌一
2016-07-15
发表期刊发光学报
期号7页码:778-785
摘要石墨烯具有优异的光学、电学、机械等特性,被视为新型材料的突破口;GaN基材料具有直接宽禁带、热稳定性强、高功率等性质,已经成为继硅之后最重要的半导体材料。将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合,发挥两种材料体系的优势,将为光电子、微电子器件的发展带来新的契机。关于石墨烯与GaN基材料相结合的研究目前已经有所突破,本文简要概述了近年来石墨烯与GaN基材料接触机理方面和石墨烯应用于GaN基材料器件方面的进展状态。
关键词石墨烯 Gan材料 石墨烯gan接触
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57992
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
徐昌一. 石墨烯应用于GaN基材料的研究进展[J]. 发光学报,2016(7):778-785.
APA 徐昌一.(2016).石墨烯应用于GaN基材料的研究进展.发光学报(7),778-785.
MLA 徐昌一."石墨烯应用于GaN基材料的研究进展".发光学报 .7(2016):778-785.
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