Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层 | |
缪国庆
| |
| 2011-06-20 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| ISSN | 1000-7032 |
| 卷号 | 32期号:6页码:612-616 |
| 收录类别 | EI |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/3879 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪国庆. 利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层[J]. 发光学报,2011,32(6):612-616. |
| APA | 缪国庆.(2011).利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层.发光学报,32(6),612-616. |
| MLA | 缪国庆."利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层".发光学报 32.6(2011):612-616. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 利用In_0_82_Ga_0_18_As（1103KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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