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Microstructure studies of GaInAsSb/GaSb heterostructure
Zhang Z. Y.; Li S. W.; Zhang B. L.; Zhou T. M.; Jiang H.; Jin Y. X.
2000
发表期刊Rare Metals
ISSN1001-0521
卷号19期号:1页码:34-38
摘要The preliminary results of scanning transmission electron microscope investigations on the interface of GaInAsSb/GaSb heterostructure were presented. STEM images show that the various dislocations and stacking faults were produced by the lattice mismatch between the quaternary GaInAsSb alloy and GaSb substrates. All these defects were the ways for relieving the misfit strain, including 60 degrees dislocation, 90 degrees dislocation and stacking faults. It is also found that only the 90 degrees dislocation can form the ridges on the surface of the epilayer.
收录类别SCI
语种英语
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/34444
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
Zhang Z. Y.,Li S. W.,Zhang B. L.,et al. Microstructure studies of GaInAsSb/GaSb heterostructure[J]. Rare Metals,2000,19(1):34-38.
APA Zhang Z. Y.,Li S. W.,Zhang B. L.,Zhou T. M.,Jiang H.,&Jin Y. X..(2000).Microstructure studies of GaInAsSb/GaSb heterostructure.Rare Metals,19(1),34-38.
MLA Zhang Z. Y.,et al."Microstructure studies of GaInAsSb/GaSb heterostructure".Rare Metals 19.1(2000):34-38.
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