Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 基于AIAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器 | |
赵路民; 晏长岭; 孙艳芳; 金珍花; 王青; 秦莉 ; 刘云; 宁永强; 王立军
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| 2004-04-30 | |
| 发表期刊 | 半导体光电
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| 期号 | 02页码:98-100+114 |
| 关键词 | 垂直腔面发射激光器 选择性氧化 分子束外延 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29220 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵路民,晏长岭,孙艳芳,等. 基于AIAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器[J]. 半导体光电,2004(02):98-100+114. |
| APA | 赵路民.,晏长岭.,孙艳芳.,金珍花.,王青.,...&王立军.(2004).基于AIAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器.半导体光电(02),98-100+114. |
| MLA | 赵路民,et al."基于AIAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器".半导体光电 .02(2004):98-100+114. |
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