Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响 | |
缪国庆 ; 金亿鑫; 蒋红; 周天明; 李树玮; 元光; 宋航
| |
| 2002-08-30 | |
| 发表期刊 | 半导体光电
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| 期号 | 04页码:271-273 |
| 关键词 | 铟镓砷 Ⅴ/ⅲ比 低压金属有机化学气相沉积 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/28573 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪国庆,金亿鑫,蒋红,等. Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响[J]. 半导体光电,2002(04):271-273. |
| APA | 缪国庆.,金亿鑫.,蒋红.,周天明.,李树玮.,...&宋航.(2002).Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响.半导体光电(04),271-273. |
| MLA | 缪国庆,et al."Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响".半导体光电 .04(2002):271-273. |
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| _比对InGaAs_InP的LPMOCV（32KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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