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Buffer layer effect on ZnO nanorods growth alignment
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Zhao D. X.; Andreazza C.; Andreazza P.; Ma J. G.; Liu Y. C.; Shen D. Z.
2005
发表期刊Chemical Physics Letters
ISSN0009-2614
卷号408期号:4—6页码:335-338
摘要Vertical aligned ZnO nanorods array was fabricated on Si with introducing a ZnO thin film as a buffer layer. Two different nucleation mechanisms were found in growth process. With using Au catalyst, Zn vapor could diffuse into Au nanoclusters with forming a solid solution. Then the ZnO nucleation site is mainly on the catalyst by oxidation of Au/Zn alloy. Without catalyst, nucleation could occur directly on the surface of buffer layer by homoepitaxy. The density and the size of ZnO nanorods could be governed by morphological character of catalyst and buffer layer. The nanorods growth is followed by vapor-solid mechanism. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
收录类别SCI ; EI
语种英语
文献类型期刊论文
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专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
Zhao D. X.,Andreazza C.,Andreazza P.,et al. Buffer layer effect on ZnO nanorods growth alignment[J]. Chemical Physics Letters,2005,408(4—6):335-338.
APA Zhao D. X.,Andreazza C.,Andreazza P.,Ma J. G.,Liu Y. C.,&Shen D. Z..(2005).Buffer layer effect on ZnO nanorods growth alignment.Chemical Physics Letters,408(4—6),335-338.
MLA Zhao D. X.,et al."Buffer layer effect on ZnO nanorods growth alignment".Chemical Physics Letters 408.4—6(2005):335-338.
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