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The influence of growth temperature on ZnO nanowires
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Fang F.; Zhao D. X.; Zhang J. Y.; Shen D. Z.; Lu Y. M.; Fan X. W.; Li B. H.; Wang X. H.
2008
发表期刊Materials Letters
ISSN0167-577X
卷号62期号:6—7页码:1092-1095
摘要ZnO nanowires have been successfully synthesized on Si(100) substrate by a simple physical vapor deposition method. Thin film ZnO layer used as the nucleation site can avoid the contamination from the metal catalysts, and it can also control the growth direction of ZnO nanowires. Well-aligned ZnO nanowire arrays along the normal direction of the substrate can be obtained by controlling different growth temperature, which was demonstrated by XRD and FESEM analysis. A strong ultraviolet emission at room temperature was observed in all ZnO nanostructures. In addition, the growth mechanisms of the ZnO nanowires with different growth temperature is discussed in details. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
收录类别SCI ; EI
语种英语
文献类型期刊论文
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专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
Fang F.,Zhao D. X.,Zhang J. Y.,et al. The influence of growth temperature on ZnO nanowires[J]. Materials Letters,2008,62(6—7):1092-1095.
APA Fang F..,Zhao D. X..,Zhang J. Y..,Shen D. Z..,Lu Y. M..,...&Wang X. H..(2008).The influence of growth temperature on ZnO nanowires.Materials Letters,62(6—7),1092-1095.
MLA Fang F.,et al."The influence of growth temperature on ZnO nanowires".Materials Letters 62.6—7(2008):1092-1095.
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