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Pure red organic light-emitting diode based on a europium complex
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Xue Q.; Chen P.; Lu J. H.; Xie G. H.; Hou J. Y.; Liu S. Y.; Zhao Y.; Zhang L. Y.; Li B.
2009
发表期刊Solid-State Electronics
ISSN0038-1101
卷号53期号:3页码:397-399
摘要A hole-blocking layer, 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (Bphen), was introduced between the emission layer (EML) and the electron-transporting layer (ETL) for a europium complex based organic red light-emitting device. Such a structure helps to reduce hole leakage from the EML into the ETL, resulting in improved purity of emissive light. Optimum Bphen thickness of around 10 nm was observed to produce a current efficiency of 3.1 cd/A and brightness of 465.2 cd/m(2) at 14 V. With 10 nm Bphen layer, the red emission spectrum shows excellent color saturation with Commission Internationale De L'Eclairage coordinates of (0.64, 0.33) at 7 V (C) 2009 Elsevier Ltd. All rights reserved.
收录类别SCI ; EI
语种英语
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/26348
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
Xue Q.,Chen P.,Lu J. H.,et al. Pure red organic light-emitting diode based on a europium complex[J]. Solid-State Electronics,2009,53(3):397-399.
APA Xue Q..,Chen P..,Lu J. H..,Xie G. H..,Hou J. Y..,...&Li B..(2009).Pure red organic light-emitting diode based on a europium complex.Solid-State Electronics,53(3),397-399.
MLA Xue Q.,et al."Pure red organic light-emitting diode based on a europium complex".Solid-State Electronics 53.3(2009):397-399.
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