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Phosphorescence Enhancement Triggered by II Stacking in Solid-State Cu(N-N)(P-P) BF4 Complexes
其他题名论文其他题名
Zhang L. M.; Li B.; Su Z. M.
2009
发表期刊Langmuir
ISSN0743-7463
卷号25期号:4页码:2068-2074
摘要In this article, we report a phosphorescence enhancement phenomenon of [Cu(N-N)(P-P)]BF4 complexes in the solid state. The phosphorescence enhancement phenomenon is composed of three features: (1) an obvious emission blue shift, (2) a greatly enhanced photoluminescence quantum yield, and (3) a longer excited-state lifetime. Systematic analyses prove that the main cause of this phenomenon is nonradiative process suppression triggered by the pi stacking between [Cu(N-N)(P-P)]BF4 molecules. The phorsphorescence enhancement widely exists in [Cu(N-N)(P-P)]BF4 complexes because of the pi surfaces in their diimine ligands.
收录类别SCI ; EI
语种英语
文献类型期刊论文
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专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
Zhang L. M.,Li B.,Su Z. M.. Phosphorescence Enhancement Triggered by II Stacking in Solid-State Cu(N-N)(P-P) BF4 Complexes[J]. Langmuir,2009,25(4):2068-2074.
APA Zhang L. M.,Li B.,&Su Z. M..(2009).Phosphorescence Enhancement Triggered by II Stacking in Solid-State Cu(N-N)(P-P) BF4 Complexes.Langmuir,25(4),2068-2074.
MLA Zhang L. M.,et al."Phosphorescence Enhancement Triggered by II Stacking in Solid-State Cu(N-N)(P-P) BF4 Complexes".Langmuir 25.4(2009):2068-2074.
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