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Temperature dependence of optical gain in InGaAs quantum dots laser
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Ning Y. Q.; Liu Y.; Wang L. J.; Gao X.
2002
发表期刊Journal of Infrared and Millimeter Waves
ISSN1001-9014
卷号21期号:4页码:285-288
摘要The temperature dependence of gain in InGaAs multi-stacked quantum dots (QDs) laser was investigated and compared with InGaAs single quantum well(SQW) laser. It was found that quantum dost laser showed a much better stability of gain on temperature. The gain in InGaAs QDs increases with temperature in the region from 140K to 200K. Beyond 200K the gain decreases with increasing temperature. The mechanism for the above gain characteristics was analyzed. The gain peak wavelength moves to longer wavelength range with increasing temperature and exhitits a better temperature stability compared with quantum well laser.
收录类别SCI
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/25851
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
Ning Y. Q.,Liu Y.,Wang L. J.,et al. Temperature dependence of optical gain in InGaAs quantum dots laser[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves,2002,21(4):285-288.
APA Ning Y. Q.,Liu Y.,Wang L. J.,&Gao X..(2002).Temperature dependence of optical gain in InGaAs quantum dots laser.Journal of Infrared and Millimeter Waves,21(4),285-288.
MLA Ning Y. Q.,et al."Temperature dependence of optical gain in InGaAs quantum dots laser".Journal of Infrared and Millimeter Waves 21.4(2002):285-288.
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