Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
Aligned ultra-long single-crystalline -Si3N4 nanowires | |
其他题名 | 论文其他题名 |
Gao F.; Yang W.; Fan Y.; An L. | |
2008 | |
发表期刊 | Nanotechnology |
ISSN | 9574484 |
卷号 | 19期号:10 |
摘要 | We report the synthesis of aligned ultra-long single-crystalline -Si3N4 nanowires by pyrolysis of a polymeric precursor without any template. The length of the wires is up to several centimeters, which is significantly longer than that of any Si3N 4 wires reported previously. Microscopy characterization reveals that the wires are single crystals, with a uniform diameter of 200 nm. Intense visible photoluminescence was observed between 1.3 and 3.7 eV. The wires could be useful in the fabrication of optoelectronic nanodevices and nanocomposites. IOP Publishing Ltd. |
收录类别 | EI |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24496 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Gao F.,Yang W.,Fan Y.,et al. Aligned ultra-long single-crystalline -Si3N4 nanowires[J]. Nanotechnology,2008,19(10). |
APA | Gao F.,Yang W.,Fan Y.,&An L..(2008).Aligned ultra-long single-crystalline -Si3N4 nanowires.Nanotechnology,19(10). |
MLA | Gao F.,et al."Aligned ultra-long single-crystalline -Si3N4 nanowires".Nanotechnology 19.10(2008). |
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