Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析 | |
梁静秋
| |
| 2007-12-15 | |
| 发表期刊 | 电子器件
 |
| 期号 | 6 |
| 摘要 | 利用静电场理论计算了背栅极冷阴极器件的纳米线附近电场,给出电场分布的表示式及J-V曲线,并分析了几何参数对纳米线顶端表面电场的影响.结果表明,纳米线顶端表面产生巨大的电场,随着离纳米线顶端表面距离的增大,电场迅速下降;纳米线突出栅孔的长度(L-d1)越大,纳米线半径r0、栅孔半径R以及栅极与阳极间距d2越小,则纳米线顶端表面电场越强,而d2较大时d2对表面电场的影响很弱;纳米线顶端边缘电流密度J随着阳极与栅极电压的增加而指数增大. |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24033 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁静秋. 一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析[J]. 电子器件,2007(6). |
| APA | 梁静秋.(2007).一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析.电子器件(6). |
| MLA | 梁静秋."一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析".电子器件 .6(2007). |
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