Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析 | |
梁静秋![]() | |
2007-12-15 | |
发表期刊 | 电子器件
![]() |
期号 | 6 |
摘要 | 利用静电场理论计算了背栅极冷阴极器件的纳米线附近电场,给出电场分布的表示式及J-V曲线,并分析了几何参数对纳米线顶端表面电场的影响.结果表明,纳米线顶端表面产生巨大的电场,随着离纳米线顶端表面距离的增大,电场迅速下降;纳米线突出栅孔的长度(L-d1)越大,纳米线半径r0、栅孔半径R以及栅极与阳极间距d2越小,则纳米线顶端表面电场越强,而d2较大时d2对表面电场的影响很弱;纳米线顶端边缘电流密度J随着阳极与栅极电压的增加而指数增大. |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24033 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁静秋. 一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析[J]. 电子器件,2007(6). |
APA | 梁静秋.(2007).一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析.电子器件(6). |
MLA | 梁静秋."一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析".电子器件 .6(2007). |
条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分(1146KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[梁静秋]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[梁静秋]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[梁静秋]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论