Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
高功率高亮度半导体激光器件 | |
刘云 | |
2009-03-03 | |
发表期刊 | 红外与激光工程
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ISSN | 1000-0519 |
卷号 | 3期号:38页码:482 |
摘要 | 由于半导体激光器在光电转换效率、输出功率、使用寿命等方面的优势,广泛应用于军事领域。为提高输出功率,将两束同一波长不同偏振态的激光束耦合以获得更高功率输出,是目前国际研究的热点之一。进行国内连续808nm两半导体激光迭阵耦合实验。采用自行设计光学系统对光束进行扩束聚焦,可耦合输出光斑2mm×2mm,总体输出效率大于50%。国内没有对迭阵进行耦合实验的报道。为达到耦合器件的输出效率自行设计耦合选择器的镀膜材料体系,并将此研究应用于光电对抗实验中。 |
收录类别 | EI |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23350 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘云. 高功率高亮度半导体激光器件[J]. 红外与激光工程,2009,3(38):482. |
APA | 刘云.(2009).高功率高亮度半导体激光器件.红外与激光工程,3(38),482. |
MLA | 刘云."高功率高亮度半导体激光器件".红外与激光工程 3.38(2009):482. |
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