Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 808nm高占空比大功率半导体激光器阵列 | |
秦莉
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| 2009-11-04 | |
| 发表期刊 | 强激光与粒子束
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| ISSN | 1001-4322 |
| 卷号 | 11期号:21页码:1615 |
| 摘要 | 采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构,通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流,从而提高半导体激光器阵列的输出功率;同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度,优化N面合金条件,降低半导体激光器的串联电阻,降低焦耳热,提高了半导体激光器阵列的转换效率。利用金属有机化学气相淀积技术生长GaInAsP/InGaP/AlGaAs渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构激光器材料,利用该材料制成半导体激光线阵列在20%高占空比的输入电流下,半导体激光器的输出峰值功率达到189.64W(180A),斜率效率为1.1W/A,中心波长为805.0nm,阈值电流为7.6A,电光转换效率最高可达55.4%;在1%占空比的输入电流下,阵列的输出峰值功率可达324.9W(300A),斜率效率为1.11W/A,阈值电流为7.8A,电光转化效率最高达55.6%,中心波长为804.5nm。 |
| 收录类别 | EI |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23292 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦莉. 808nm高占空比大功率半导体激光器阵列[J]. 强激光与粒子束,2009,11(21):1615. |
| APA | 秦莉.(2009).808nm高占空比大功率半导体激光器阵列.强激光与粒子束,11(21),1615. |
| MLA | 秦莉."808nm高占空比大功率半导体激光器阵列".强激光与粒子束 11.21(2009):1615. |
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| 808nm高占空比大功率半导体激光器阵列（238KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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