RLVIP技术制备Ge_1_x_C_x薄膜的X射线光电子能谱

	RLVIP技术制备Ge_1_x_C_x薄膜的X射线光电子能谱
	高劲松
	2008-04-01
发表期刊	光学精密工程
期号	4
摘要	应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜。制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了C含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜。X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构。用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ge1-xCx薄膜中C的化学键合变化。研究结果表明:当x>0.78时,成键为C-H键;当x为0.53~0.62时,成键为C-C键;当x<0.47时,成键为Ge-C键。
收录类别	EI
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23159
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	高劲松. RLVIP技术制备Ge_1_x_C_x薄膜的X射线光电子能谱[J]. 光学精密工程,2008(4).
APA	高劲松.(2008).RLVIP技术制备Ge_1_x_C_x薄膜的X射线光电子能谱.光学精密工程(4).
MLA	高劲松."RLVIP技术制备Ge_1_x_C_x薄膜的X射线光电子能谱".光学精密工程 .4(2008).