Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 离子辅助制备碳化硅改性薄膜 | |
陈红; 高劲松
| |
| 2008-03-01 | |
| 发表期刊 | 光学精密工程
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| 期号 | 3 |
| 摘要 | 介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松。在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好。 |
| 收录类别 | EI |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23145 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈红,高劲松. 离子辅助制备碳化硅改性薄膜[J]. 光学精密工程,2008(3). |
| APA | 陈红,&高劲松.(2008).离子辅助制备碳化硅改性薄膜.光学精密工程(3). |
| MLA | 陈红,et al."离子辅助制备碳化硅改性薄膜".光学精密工程 .3(2008). |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 离子辅助制备碳化硅改性薄膜.caj（1317KB） | 开放获取 | -- | 浏览 请求全文 | |||
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