Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
离子辅助制备碳化硅改性薄膜 | |
陈红; 高劲松![]() | |
2008-03-01 | |
发表期刊 | 光学精密工程
![]() |
期号 | 3 |
摘要 | 介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松。在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好。 |
收录类别 | EI |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23145 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈红,高劲松. 离子辅助制备碳化硅改性薄膜[J]. 光学精密工程,2008(3). |
APA | 陈红,&高劲松.(2008).离子辅助制备碳化硅改性薄膜.光学精密工程(3). |
MLA | 陈红,et al."离子辅助制备碳化硅改性薄膜".光学精密工程 .3(2008). |
条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
离子辅助制备碳化硅改性薄膜.caj(1317KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[陈红]的文章 |
[高劲松]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[陈红]的文章 |
[高劲松]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[陈红]的文章 |
[高劲松]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论