Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 半_V_字形铁电液晶器件的制备 | |
宣丽
| |
| 2008-02-05 | |
| 发表期刊 | 光子学报
 |
| 期号 | 2 |
| 摘要 | 实验研究了N*-Sc*相变时施加直流电压的强度对铁电液晶分子层排列和电光性能的影响,由此筛选了合适的直流电压强度,并研制了可实现连续灰度级的半"V"字形铁电液晶样品.实验说明N*-Sc*相变时施加直流电压强度大有利于获得性能良好的器件.采用N*-Sc*相变施加4V/μm直流电压,制备半"V"字形铁电液晶器件,经测试器件饱和电压为5V,对比度为112.8,上升时间和下降时间分别为622.14μs和374.7μs. |
| 收录类别 | EI |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23142 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宣丽. 半_V_字形铁电液晶器件的制备[J]. 光子学报,2008(2). |
| APA | 宣丽.(2008).半_V_字形铁电液晶器件的制备.光子学报(2). |
| MLA | 宣丽."半_V_字形铁电液晶器件的制备".光子学报 .2(2008). |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 半_V_字形铁电液晶器件的制备.caj（493KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [宣丽]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [宣丽]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [宣丽]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论