Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 极紫外投影光刻光学系统 | |
王丽萍
| |
| 2010-10-20 | |
| 发表期刊 | 中国光学与应用光学
 |
| ISSN | 1674-2915 |
| 卷号 | 3期号:12页码:452-461 |
| 摘要 | 极紫外光刻(EUVL)是半导体工业实现32～16nm技术节点的候选技术,而极紫外曝光光学系统是EUVL的核心部件,它主要由照明系统和微缩投影物镜组成。本文介绍了国内外现有的EUVL实验样机及其系统参数特性;总结了EUVL光学系统设计原则,分别综述了EUVL投影光学系统和照明光学系统的设计要求;描述了EUVL投影曝光系统及照明系统的设计方法;重点讨论了适用于22nm节点的EUVL非球面六镜投影光学系统,指出了改善EUVL照明均匀性的方法。 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/22301 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王丽萍. 极紫外投影光刻光学系统[J]. 中国光学与应用光学,2010,3(12):452-461. |
| APA | 王丽萍.(2010).极紫外投影光刻光学系统.中国光学与应用光学,3(12),452-461. |
| MLA | 王丽萍."极紫外投影光刻光学系统".中国光学与应用光学 3.12(2010):452-461. |
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