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980nm底发射VCSEL的DBR设计与优化
宁永强; 秦莉
2009-08-05
发表期刊中国科学F:信息科学
ISSN1674-5973
卷号8期号:39页码:918
摘要根据DBR的工作原理,以P型DBR为例,通过研究DBR的能带结构详细分析了不同的渐变区宽度和不同的掺杂浓度下的DBR的电学特性和反射特性.选用Al_(0.9)Ga_(0.1)As和Al_(0.1)Ga_(0.9)As作为DBR的材料,设计了980nmVCSELs的P型DBR,通过比较确定了Al组分渐变区的宽度和整个DBR结构的掺杂浓度.依此结构制作了980nm底发射VCSELs,器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示器件的串联电阻约为0.05Ω.
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/22212
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
宁永强,秦莉. 980nm底发射VCSEL的DBR设计与优化[J]. 中国科学F:信息科学,2009,8(39):918.
APA 宁永强,&秦莉.(2009).980nm底发射VCSEL的DBR设计与优化.中国科学F:信息科学,8(39),918.
MLA 宁永强,et al."980nm底发射VCSEL的DBR设计与优化".中国科学F:信息科学 8.39(2009):918.
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