Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
生长氮氧硅薄膜的方法 (发明) | |
高鹏涛; 叶如华 | |
1998-07-01 | |
专利权人 | 中国科学院长春物理研究所 |
公开日期 | 2012-09-14 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | 本发明涉及一种薄膜制备方法。溅射生长在氮氧硅(SiON)作为优良的绝缘膜材料被广泛地应用于各种薄膜电子器件中,目前溅射生长氮氧硅薄膜采用硅(Si)反应溅射方法获得。由这种方法得到的薄膜表面平整,致密性好,但对其生长的气体条件要求很严,较难掌握,另外溅射时反应不…… |
申请日期 | 1996-12-26 |
专利号 | 1186124 |
语种 | 中文 |
申请号 | 96114798.9 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12712 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 高鹏涛,叶如华. 生长氮氧硅薄膜的方法 (发明). 1186124[P]. 1998-07-01. |
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CN199800118612400000(73KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
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