Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法 (发明) | |
黎大兵![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2011-12-14 | |
专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
公开日期 | 2012-08-29 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | 一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法,涉及半导体技术领域。它解决了现有在硅衬底上生长的非极性面GaN模板不能用于生长非极性面AlGaN,尤其是在GaN模板上生长高Al组分AlGaN时模板表面存在裂纹且表面不平整的问题,其方法为:选择硅衬底;采用光刻、电子束蒸发以及Lift Off技术获得适合AlN外延生长的图形化…… |
资助项目 | 102280370A |
申请号 | 201110212298.9 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12001 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎大兵,孙晓娟,宋航,等. 一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法 (发明)[P]. 2011-12-14. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN201110228037000000(682KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
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