Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法 (发明) | |
黎大兵; 孙晓娟; 宋航; 李志明; 陈一仁; 缪国庆; 蒋红 | |
2011-11-30 | |
专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
公开日期 | 2012-08-29 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | 采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法,涉及半导体技术领域,它解决了现有制备AlGaN探测器的方法无法实现AlGaN基材料中存在高密度的位错的问题,本发明方法为:在常规衬底上生长AlGaN基材料;然后在所述的AlGaN基材料表面制备纳米粒子;采用光刻技术在纳米粒子上制备光刻胶掩膜图形;采用真空蒸发方法在光刻胶掩膜…… |
资助项目 | 102263166A |
申请号 | 201110212296.X |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11991 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎大兵,孙晓娟,宋航,等. 采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法 (发明)[P]. 2011-11-30. |
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CN201110226316600000(390KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
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