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深刻蚀平面电磁线圈及制作方法 (发明)
张平; 吴一辉; 杨杰伟; 王淑荣; 郭占社
2006-05-31
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2006-05-31
专利类型发明专利
摘要本发明涉及用于微电机、微电磁传感器、执行器中平面电磁线圈的制作方法。利用光刻在Si片表面定义出线圈图形,再利用Si深刻蚀,按已定义出的线圈图形,在Si片表面刻蚀线圈槽和线圈引线通孔,在线圈槽内金属电铸得到金属结构,线圈槽内表面刻蚀的表面粗糙度将线圈镶嵌于线圈槽内。线圈包括:基底1、线圈槽2、线圈引线通孔3、绝缘层4、种……
资助项目1258199
申请号200310115908.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11364
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
张平,吴一辉,杨杰伟,等. 深刻蚀平面电磁线圈及制作方法 (发明)[P]. 2006-05-31.
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