Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
深刻蚀平面电磁线圈及制作方法 (发明) | |
张平; 吴一辉; 杨杰伟; 王淑荣; 郭占社 | |
2006-05-31 | |
专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
公开日期 | 2006-05-31 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | 本发明涉及用于微电机、微电磁传感器、执行器中平面电磁线圈的制作方法。利用光刻在Si片表面定义出线圈图形,再利用Si深刻蚀,按已定义出的线圈图形,在Si片表面刻蚀线圈槽和线圈引线通孔,在线圈槽内金属电铸得到金属结构,线圈槽内表面刻蚀的表面粗糙度将线圈镶嵌于线圈槽内。线圈包括:基底1、线圈槽2、线圈引线通孔3、绝缘层4、种…… |
资助项目 | 1258199 |
申请号 | 200310115908.9 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11364 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张平,吴一辉,杨杰伟,等. 深刻蚀平面电磁线圈及制作方法 (发明)[P]. 2006-05-31. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN200400154722600000(543KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
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