Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 一种制备光刻胶图形的方法 (发明) | |
宁永强 ; 秦莉; 孙艳芳; 李特; 崔锦江; 刘云; 刘星元; 王立军
| |
| 2008-04-02 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 公开日期 | 2012-08-29 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明属于微电子和光电子器件领域，涉及器件制作工艺过程中采用光刻进行器件图形转移的制备技术。该方法采用一种正性光刻胶，按照光刻工艺通常的方法，先在样品表面上旋涂第一层光刻胶，其特征是前烘后不用光刻版掩蔽即进行大面积曝光。然后在已经大面积曝光的第一层光刻胶表面旋涂第二层光刻胶，前烘后用光刻版进行图形掩蔽后曝光。曝光后进行…… |
| 资助项目 | 101154049 |
| 申请号 | 200610017221.5 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11301 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁永强,秦莉,孙艳芳,等. 一种制备光刻胶图形的方法 (发明)[P]. 2008-04-02. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200810115404900000（295KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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