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一种制备多晶硅的方法 (发明)
黄金英; 付国柱; 荆海; 凌志华
2006-02-01
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2012-08-29
专利类型发明专利
摘要本发明属于半导体材料领域,是一种制备多晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜,用金属诱导-双次激光退火的方法晶化为多晶硅。首先在普通玻璃基板上制备一层高品质的非晶硅薄膜,然后在非晶硅薄膜上制备一薄层金属镍,并将金属镍光刻成细线,对样品进行一次激光退火,一次激光退火结束后,去除非晶硅薄膜上多余的金属镍,之后……
资助项目1727525
申请号200510016605
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11050
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
黄金英,付国柱,荆海,等. 一种制备多晶硅的方法 (发明)[P]. 2006-02-01.
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