中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	制备微晶硅的方法 (发明)
	黄金英; 付国柱; 荆海; 凌志华
	2007-12-26
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2007-12-26
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于半导体材料领域，是一种制备微晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜，用紫外光辅助热退火的方法使非晶硅薄膜转化成微晶硅。所用的紫外光辅助热退火的方法是将非晶硅薄膜置于真空退火炉中，进行真空热退火的同时辅以紫外光照射，非晶硅薄膜吸收紫外光能量转化为自身热能，紫外光的诱导作用不仅使非晶硅到微晶硅的相变……
资助项目	100357500
申请号	200510016606.5
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11049
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	黄金英,付国柱,荆海,等. 制备微晶硅的方法 (发明)[P]. 2007-12-26.

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